Описание:240-контактный SDIMM модуль оперативной памяти DDR3 ёмкостью 4 Гб от Silicon Power, который функционирует на частоте 1600 МГц с задержками CL11 и характеризуется напряжением питания 1.5 В. По заявлениям разработчиков, их детища изготовлены в полном соответствии с требованиями стандартов JEDEC. При этом отмечается, что схемное решение Fly-by позволяет максимизировать эффективность передачи сигналов между DRAM-микросхемами и контроллером памяти, а технология ODT (On-DIE Termination) призвана уменьшить отражение сигнала.
Общие характеристики
Тип памяти:DDR3
Форм-фактор:DIMM 240-контактный
Предназначение:для ПК
Тактовая частота:1333 МГц
Пропускная способность:10600 Мб/с
Объем:1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC:нет
Буферизованная (Registered):нет
Низкопрофильная (Low Profile):нет
Тайминги
CAS Latency (CL):11
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля:16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания:1.5 В
